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2020-08-20
临界负温热敏材料以VO2为基本成分的多晶半导体材料，在68℃附近电阻值发生突变，在狭小的温区内，电阻值随温度的增加而降低3~4个数量级，具有很大的负温度系数。阻值突变的温度称为临界温度Tc，不同的材料其临界温度Tc不同，如V2O3的临界温度为-100℃，Fe304为-150℃，VO2为68℃，Ti305为175℃，V305为140℃。Tc可以通过掺入适当的杂质提高或降低，如在V305中掺入Ge可将其TC降到100~140℃之间，掺入2%的Ge，可使Tc降到120℃左右。在临界...2020-08-20
PTC热敏陶瓷1950年荷兰Hayman等人，在BaTiO3材料中掺入微量元素，如Sb，La，Sm,Gd,Ho等，其常温电阻率下降到10-2~104cm。与此同时当温度超过材料的居里温度，在几十度温度范围内，其电阻率增大4~10个数量级，即产生所谓PTC效应。BaTiO3是一种典型的钙钛矿结构。BaTiO3系半导体陶瓷的制造方法与一般的电子陶瓷材料基本相同。只是对原材料的纯度、掺杂成分的均匀性及工艺过程的控制有较高的要求。持别是BaTiO3半导体陶瓷与金属银电极的接触面电阻可...2020-08-19
半导体的导电，主要是由电子和空穴造成的。温度增加，使电子动能增大，造成晶体中自由电子和空穴数目增加，因而使电导率升高。通常情况下电导率与温度的关系为电阻率与温度的关系为式中，B为与材料有关的常数，表示材料的电导活化能。某些材料的B值很大，它在感受微弱温度变化时电阻率的变化十分明显。有一类半导体陶瓷材料，在特定的温度附近电阻率变化显著。如“掺杂”的BaTiO3(添加稀土金属氧化物)在其居里点附近，当发生相变时电阻率剧增103~106数量级。利用半导体陶瓷的电阻值对温度的敏感特性...2020-08-18
半导体的能带结构如图4.2-23所示，下面是已被价电子占满的允带，中间为禁带，上面是空带。因此，在外电场作用下不能导电，但是这是零度时的情况。当外界条件发生变化时，例如温度升高和有光照射时，满带中有少量电子有可能被激发到上面的空带中去，在外电场作用下，这些电子将参与导电。同时，满带中由于少了一些电子，在满带顶部附近出现了一些空的量子状态，满带变成了部分占满的能带，在外电场的作用下，仍留在满带中的电子也能够起导电作用。满带电子的这种导电作用等效于把这些空的量子状态看作带正电荷的...2020-08-18
抗电强度是绝缘材料的一个重要性能指标，因其数值受多种因素影响，为便于比较，必须在特定的条件下进行。国标GB/T1408.1-1999规定了固体电工材料工频击穿电压、击穿场强和耐电压的实验方法。对试样的尺寸、电极形状、加压方式等都作了规定，其中击穿电压采用“连续均匀升压法”或“一分钟逐级升压法”进行，电压由低至高，使试样被击穿的电压即为击穿电压U穿，击穿强度量E穿可由式求出。耐电压为试样在一定电压作用下，在规定的时间内没有发生击穿的电压值和时间，分别以kV和min为单位。试验电...